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QSense 耗散型石英晶體微天平（QCM-D） 低溫真空模塊可以在低至10K的溫度及真空條件下檢測納米尺度的污染物和氣體吸附。

QSense 礦物浮選模塊旨在以納克級精度實時分析液相中分子在芯片表面的吸附和相互作用。通過將模塊倒置 （即芯片有效傳感器區域）于樣品池中，可有效降低液體中的顆粒沉降影響。

QSense 耗散型石英晶體微天平（QCM-D）QSense® ALD模塊（原子層沉積）樣品架設計用于在真空或氣相中進行QCM-D測量。

PTFE流動模塊可用于一些試劑或分子對鈦金屬敏感或者會發生相互作用的流動或靜止實驗。PTFE 流動模塊與QSense®標準流動模塊QFM 401類似，但使用PTFE（類似Teflon®）來取代金屬鈦部 件。

QSense®窗口模塊允許光線通過藍寶石窗口進入芯片表面，從而能夠進行紫外誘導反應和顯微鏡聯用實驗。

QSense®開放模塊的設計是允許在某些應用中樣品可直接進入芯片表面，例如通過移液器將樣品直接滴加于芯片表面。當不需要流動條件時，也可用于快速吸附測試或其他實驗。